ПРИЧИНЫ ОБРАЗОВАНИЯ НЕФТЕНАСЫЩЕННЫХ НИЗКООМНЫХ КОЛЛЕКТОРОВ

Abstract

Проведены анализ и обобщение причин образования нефтегазонасыщенных низкоомных коллекторов, которые позволили выделить два комплекса геологических причинно-следственных связей, обусловливающих появление петрофизических и физических причин низкоомности пород. Первопричинами являются фациальная обстановка процесса осадконакопления и тектонический процесс, в результате которого образуются каналы флюидомиграций. Показано, что в общем случае вторичной геологической причиной всегда будет либо литотип пород (четыре типа проводников), приводящий к пленочно-связанной воде и электропроводящим минералам, либо наличие разломов растяжения и трещин, на основе которых будет реализовываться наложенно-эпигенетический процесс с появлением дополнительной поверхностной проводимости. Оба комплекса геологических причин вызывают появление дополнительной (поверхностной) электропроводимости, определяющейся следующими факторами: увеличением внутренней площади поровой и трещинной поверхности пленочно-связанной воды в породе и, соответственно, плотности зарядов; двойным электрическим слоем глинистой фракции; межслоевой проводимостью электрических зарядов в трехслойных глинистых минералах; образованием в породе коллектора электропроводящих минералов группы пирита. Определены геологические признаки присутствия перспективных низкоомных коллекторов.